深圳市蓝信伟业电子有限公司

产品型号：DRV8300DRGER
 

产品品牌：TI
 

产品封装：VQFN-24
 

产品功能：驱动器
 

DRV8300DRGER 的说明

DRV8300 是 100-V 三半桥栅极驱动器，能够驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET。DRV8300D 使用集成自举二极管和用于高端 MOSFET 的外部电容器生成正确的栅极驱动电压。DRV8300N 使用外部自举二极管和用于高端 MOSFET 的外部电容器生成正确的栅极驱动电压。GVDD 用于产生低侧 MOSFET 的栅极驱动电压。栅极驱动架构支持高达 750mA 的峰值拉电流和 1.5A 的灌电流。

相位引脚 SHx 能够承受显着的负电压瞬变；而高端栅极驱动器电源 BSTx 和 GHx 能够支持更高的正电压瞬变 (125-V) 绝对最大电压，从而提高了系统的稳健性。小的传播延迟和延迟匹配规范最大限度地减少了死区时间要求，从而进一步提高了效率。通过 GVDD 和 BST 欠压锁定为低端和高端提供欠压保护。

DRV8300DRGER 的特性

●100V 三相半桥栅极驱动器驱动 N 沟道 MOSFET (NMOS)

●栅极驱动器电源 (GVDD)：5-20 V

●MOSFET 电源 (SHx) 支持高达 100 V

●集成自举二极管（DRV8300D 器件）

●支持反相和同相 INLx 输入

●自举栅极驱动架构750mA 源电流

●1.5A 灌电流

●支持高达 15S 的电池供电应用

●SHx 引脚上的低漏电流 (<55 μA)

●绝对最大 BSTx 电压高达 125V

●在 SHx 上支持高达 -22V 的负瞬变

●内置交叉传导预防

●通过 DT 引脚可调节死区时间，用于 QFN 封装变体

●TSSOP 封装变体的固定死区插入时间为 200 nS

●支持 3.3V 和 5V 逻辑输入，最大 20V Abs

●4 nS 典型传播延迟匹配

●紧凑型 QFN 和 TSSOP 封装

●使用电源模块进行高效系统设计

●综合保护功能BST 欠压锁定 (BSTUV)

●GVDD 欠压 (GVDDUV)

封装图

公众号/视频号

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LM3478MAX/NOPB

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